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CY7C4042KV13-106FCXC

更新时间: 2024-02-02 03:16:14
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
46页 1165K
描述
72-Mbit QDR™-IV XP SRAM

CY7C4042KV13-106FCXC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HBGA,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.78JESD-30 代码:S-PBGA-B361
长度:21 mm内存密度:75497472 bit
内存集成电路类型:QDR SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:361
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HBGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:2.765 mm最大供电电压 (Vsup):1.34 V
最小供电电压 (Vsup):1.26 V标称供电电压 (Vsup):1.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:21 mm
Base Number Matches:1

CY7C4042KV13-106FCXC 数据手册

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CY7C4022KV13/CY7C4042KV13  
Pin Configurations  
Figure 1. 361-ball FCBGA Pinout  
CY7C4022KV13 (4M × 18)  
Document Number: 001-79552 Rev. *O  
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