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CY7C276-35HC

更新时间： 2024-02-03 12:41:02

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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9页	138K
描述
16K x 16 Reprogrammable PROM

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CY7C276-35HC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	WQCCN, LCC44,.65SQ	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQCC-N44
长度：	16.51 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	WQCCN	封装等效代码：	LCC44,.65SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	2.794 mm	最大待机电流：	0.2 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	16.51 mm
Base Number Matches：	1

CY7C276-35HC 数据手册

CY7C276

AC Test Loads and Waveforms

ALL INPUT PULSES

90%

10%

R1 500Ω

(658Ω MIL)

R1 500Ω

(658Ω MIL)

3.0V

GND

90%

10%

OUTPUT

333Ω

(403Ω

MIL)

50 pF

5 pF

< 3 ns

333Ω

(403Ω

MIL)

INCLUDING

JIG AND

SCOPE

INCLUDING

JIG AND

SCOPE

C276–3

(b) HighZ Load

(a) NormalLoad

C276–4

Equivalent to: THÉVENIN EQUIVALENT

200Ω (250ΩMIL)

C276–5

OUTPUT

2.0V(1.9V Mil)

[3,4]

Switching Characteristics Over the Operating Range

CY7C276-25

CY7C276-30

CY7C276-35

Parameter

Description

Min.

Max.

Min.

Max.

Min.

Max.

Unit

Address to Output Data Valid

CS Active to Output Valid

CS Inactive to High Z Output

OE Active to Output Valid

OE Inactive to High Z Output

CSOV

CSOZ

OEV

OEZ

age may result if the EPROM is exposed to high-intensity UV

light for an extended period of time. 7258 Wsec/cm is the

Erasure Characteristics

The recommended dose of ultraviolet light for erasure is a

wavelength of 2537 Angstroms for a minimum dose (UV inten-

sity multiplied by exposure time) of 25 Wsec/cm2. For an ul-

traviolet lamp with a 12 mW/cm power rating the exposure

time would be approximately 35 minutes. The 7C276 needs to

be within 1 inch of the lamp during erasure. Permanent dam-

recommended maximum dosage.

Wavelengths of light less than 4000 Angstroms begin to erase

the 7C276 in the windowed package. For this reason, an

opaque label should be placed over the window if the EPROM

is exposed to sunlight or fluorescent lighting for extended pe-

riods of time.

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