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CY7C276-30HMB PDF预览

CY7C276-30HMB

更新时间： 2024-01-24 20:14:53
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 138K
描述
16K x 16 Reprogrammable PROM

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CY7C276-30HMB 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：WQCCN, LCC44,.65SQ针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.82
最长访问时间：30 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-CQCC-N44长度：16.51 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：16KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：WQCCN
封装等效代码：LCC44,.65SQ封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, WINDOW并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：2.794 mm
最大待机电流：0.2 A子类别：EPROMs
最大压摆率：0.2 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
宽度：16.51 mmBase Number Matches：1

CY7C276-30HMB 数据手册

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1CY7C276  
CY7C276  
16K x 16 Reprogrammable PROM  
Functional Description  
Features  
The CY7C276 is a high-performance 16K-word by 16-bit  
CMOS PROM. It is available in a 44-pin PLCC/CLCC and a  
44-pin LCC packages, and is 100% reprogrammable in win-  
dowed packages. The memory cells utilize proven EPROM  
floating gate technology and word-wide programming algo-  
rithms.  
•
•
0.8-micron CMOS for optimum speed/power  
High speed (for commercial and military)  
— 25-ns access time  
•
•
•
•
•
•
•
16-bit-wide words  
Three programmable chip selects  
Programmable output enable  
44-pin PLCC and 44-pin LCC packages  
100% reprogrammable in windowed packages  
TTL-compatible I/O  
The CY7C276 allows the user to independently program the  
polarity of each chip select (CS −CS ). This provides on-chip  
2
0
decoding of up to eight banks of PROM. The polarity of the  
asynchronous output enable pin (OE) is also programmable.  
In order to read the CY7C276, all three chip selects must be  
active and OE must be asserted. The contents of the memory  
location addressed by the address lines (A −A ) will become  
13  
0
Capable of withstanding greater than 2001V static dis-  
charge  
available on the output lines (D −D ). The data will remain on  
15  
0
the outputs until the address changes or the outputs are dis-  
abled.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
LCC/PLCC/CLCC  
D
D
A
15  
13  
Top View  
A
12  
A
11  
A
10  
16K x 16  
PROGRAMMABLE  
ARRAY  
14  
D
D
D
D
13  
A
9
A
8
12  
6
5
4
3
2
1
44 43 42 41 40  
39  
A
7
D
D
A
13  
A
12  
A
11  
12  
7
11  
A
6
11  
8
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
D
10  
9
A
5
10  
D
D
9
A
A
V
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
10  
A
A
4
8
9
D
9
8
7
6
V
SS  
3
SS  
V
CC  
V
SS  
A
2
D
D
7
A
8
A
1
D
D
A
7
6
D
A
5
4
A
6
0
D
A
5
D
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28  
D
5
4
3
2
D
D
CS  
0
C276–2  
D
CS  
DECODE  
CS  
CS  
1
2
D
1
D
0
C276–1  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
March 1991 – Revised December 1993  
1234567...9

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与CY7C276-30HMB相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CY7C276-30JC CYPRESS 16K x 16 Reprogrammable PROM

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CY7C276-30JCR CYPRESS OTP ROM, 16KX16, 30ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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