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CY7C268-60WMB

更新时间: 2024-11-07 18:11:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 727K
描述
UVPROM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32

CY7C268-60WMB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32针数:32
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.61风险等级:5.92
最长访问时间:85 ns其他特性:DIAGNOSTIC PROM
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:UVPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.1 A
子类别:EPROMs最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CY7C268-60WMB 数据手册

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