是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP24,.3 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.67 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | POWER SWITCHED PROM | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 31.877 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
CY7C263-55JCR | CYPRESS | OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 |
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CY7C263-55JCT | CYPRESS | OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 |
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CY7C263-55JI | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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CY7C263-55JIR | CYPRESS | OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 |
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CY7C263-55LMB | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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CY7C263-55PC | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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