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CY7C199CNL-15VC

更新时间： 2024-11-21 03:26:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 608K
描述
256K (32K x 8) Static RAM

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CY7C199CNL-15VC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, MO-088 SOJ-28针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.81
Is Samacsys：N最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：17.907 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：220
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大待机电流：0.00015 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

CY7C199CNL-15VC 数据手册

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CY7C199CN  
256K (32K x 8) Static RAM  
Features  
General Description [1]  
• Fast access time: 12 ns, 15 ns, 20 ns, and 25 ns  
• Wide voltage range: 5.0V ± 10% (4.5V to 5.5V)  
• CMOS for optimum speed and power  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• 2.0V data retention  
The CY7C199CN is a high performance CMOS Asynchronous  
SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an  
asynchronous memory interface. The device features an  
automatic power down feature that reduces power  
consumption when deselected.  
See the “Truth Table” on page 3 in this data sheet for a  
complete description of read and write modes.  
• Low CMOS standby power  
• Automated power down when deselected  
The CY7C199CN is available in Pb-free 28-pin TSOP I, 28-pin  
Molded SOJ and 28-pin DIP package(s).  
• Available in Pb-free 28-pin TSOP I, 28-pin Molded SOJ and  
28-pin DIP packages  
Logic Block Diagram  
Input Buffer  
RAM Array  
I/Ox  
CE  
WE  
OE  
Power  
Down  
Circuit  
Column Decoder  
A X  
X
Product Portfolio  
–12  
–15  
–20  
20  
–25  
25  
Unit  
ns  
Maximum Access Time  
12  
85  
15  
80  
Maximum Operating Current  
75  
75  
mA  
µA  
Maximum CMOS Standby Current  
(low power)  
500  
500  
500  
500  
Note  
1. For best practices recommendations, refer to the Cypress application note System Design Guidelines on www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06435 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised March 08, 2007  
[+] Feedback  
1234567...14

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CY7C199CNL-15VC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C199CNL-15VXI CYPRESS

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 		256K (32K x 8) Static RAM
CY7C199CNL-15VXCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MO-088 SOJ-28
CY7C199CNL-15VXI CYPRESS

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 		256K (32K x 8) Static RAM
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 		Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MO-088, SOJ-28
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