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CY7C199CN-25PXC

更新时间: 2024-11-21 20:40:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 1293K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 25ns, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, MO-095, DIP-28

CY7C199CN-25PXC 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, MO-095, DIP-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.37
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e3
长度:34.67 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:4.82 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

CY7C199CN-25PXC 数据手册

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