是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.44 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.907 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 220 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C199-35VC | CYPRESS |
完全替代 |
32K x 8 Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C199-35VI | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-35VIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C199-35ZC | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-35ZI | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C199-45DMB | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-45KMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
CY7C199-45LC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
CY7C199-45LMB | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-45PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |