是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QLCC | 包装说明: | LCC-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.11 | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC28,.35X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 1.905 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C199-20PC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-20PXC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-20VC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-20VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C199-20VCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C199-20VI | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-20VIT | ETC |
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x8 SRAM | |
CY7C199-20ZC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199-20ZCT | ETC |
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x8 SRAM | |
CY7C199-20ZI | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM |