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CY7C185A-15LMB

更新时间: 2024-11-14 20:11:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 349K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

CY7C185A-15LMB 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QLCC包装说明:LCC-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.22Is Samacsys:N
最长访问时间:15 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC28,.35X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:1.905 mm最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

CY7C185A-15LMB 数据手册

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