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CY7C162A-20LMB PDF预览

CY7C162A-20LMB

更新时间： 2024-02-20 11:09:00
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 169K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

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CY7C162A-20LMB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QLCC
包装说明：CERAMIC, LCC-28针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.38
最长访问时间：20 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-CQCC-N28
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：16KX4
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装等效代码：LCC28,.35X.55封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：1.905 mm最大待机电流：0.02 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.89 mmBase Number Matches：1

CY7C162A-20LMB 数据手册

 浏览型号CY7C162A-20LMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C162A-20LMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C162A-20LMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C162A-20LMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C162A-20LMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C162A-20LMB的Datasheet PDF文件第7页 
CY7C161A  
CY7C162A  
16K x 4 Static RAM  
with Separate I/O  
Easy memory expansion is provided by active LOW chip en-  
Features  
ables (CE , CE ) and three-state drivers. They have an auto-  
1
2
High speed  
•
matic power-down feature, reducing the power consumption  
by 60% when deselected.  
— 20 ns t  
AA  
Writing to the device is accomplished when the chip enable  
• CMOS for optimum speed/power  
(CE , CE ) and write enable (WE) inputs are both LOW. Data  
1
2
Transparent write (7C161A)  
Low active power  
— 550 mW  
•
•
on the four input pins (I through I ) is written into the memory  
0
3
location specified on the address pins (A through A ).  
0
13  
Reading the device is accomplished by taking the chip enables  
(CE , CE ) LOW while write enable (WE) remains HIGH. Un-  
• Low standby power  
1
2
der these conditions the contents of the memory location  
specified on the address pins will appear on the four data out-  
put pins.  
— 220 mW  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
The output pins stay in high-impedance state when write en-  
able (WE) is LOW (7C162A only), or one of the chip enables  
Functional Description  
(CE , CE ) are HIGH.  
1
2
The CY7C161A and CY7C162A are high-performance CMOS  
static RAMs organizes as 16,384 by 4 bits with separate I/O.  
A die coat is used to insure alpha immunity.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
I
o
I
1
DIP  
Top View  
I
2
LCC  
A
V
CC  
I
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
3
Top View  
A
6
A
4
A
7
A
3
INPUT BUFFER  
A
8
A
2
3
2 1 2827  
26  
A
9
A
1
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
A
A
12  
3
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
A
A
11  
A
A
0
4
A
5
10  
11  
12  
13  
A
A
7C161A  
7C162A  
10  
A
A
A
A
I
3
0
O
O
0
A
6
A
7
9
A
I
2
1
I
3
7C162A  
A
A
2
O
3
O
2
O
1
O
0
8
1
I
2
256 x 256  
ARRAY  
A
I
3
0
O
O
O
3
2
1
I
0
10  
11  
12  
13  
14  
A
I
4
1
O
O
I
1
2
A
CE  
1
5
A
CE  
1
1314151617  
6
A
OE  
WE  
CE  
3
7
GND  
2
C161A–3  
POWER  
DOWN  
C161A–2  
COLUMN DECODER  
CE  
1
CE  
2
7C162A ONLY  
7C161A ONLY  
WE  
OE  
C161A–1  
Selection Guide[1]  
7C161A-15  
7C162A-15  
7C161A-20  
7C162A-20  
7C161A-25  
7C162A-25  
7C161A-35  
7C162A-35  
Maximum Access Time (ns)  
15  
20  
25  
35  
100  
Maximum Operating Current (mA) Military  
160  
100  
Maximum Standby Current (mA)  
Military  
40/20  
40/20  
30/20  
Shaded area contains advanced information.  
Note:  
1. For commercial specifications, see the CY7C161/CY7C162 datasheet  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
May 1986 - Revised December 1994  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C162A-20PC CYPRESS

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