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CY7C1614KV18-333BZC

更新时间: 2024-01-13 21:58:10
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 626K
描述
QDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

CY7C1614KV18-333BZC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:BGA包装说明:LBGA, BGA165,11X15,40
针数:165Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
Factory Lead Time:1 week风险等级:2.14
最长访问时间:0.45 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):333 MHzI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e0
长度:17 mm内存密度:150994944 bit
内存集成电路类型:QDR SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:165字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA165,11X15,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):220电源:1.5/1.8,1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.4 mm
最大待机电流:0.41 A最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.16 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:15 mm
Base Number Matches:1

CY7C1614KV18-333BZC 数据手册

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CY7C1625KV18  
CY7C1612KV18  
CY7C1614KV18  
Logic Block Diagram – CY7C1612KV18  
18  
D
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Write  
Reg  
Write  
Reg  
22  
Address  
Register  
A
(21:0)  
22  
Address  
Register  
A
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RPS  
K
K
Control  
Logic  
CLK  
Gen.  
C
C
DOFF  
Read Data Reg.  
CQ  
CQ  
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V
REF  
18  
18  
Reg.  
Reg.  
Reg.  
Control  
Logic  
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18  
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Q
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Logic Block Diagram – CY7C1614KV18  
36  
D
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Write  
Reg  
Write  
Reg  
21  
Address  
Register  
A
(20:0)  
21  
Address  
Register  
A
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RPS  
K
K
Control  
Logic  
CLK  
Gen.  
C
C
DOFF  
Read Data Reg.  
CQ  
CQ  
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V
REF  
36  
36  
Reg.  
Reg.  
Reg.  
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Document Number: 001-16238 Rev. *N  
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