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CY7C1614KV18-333BZC PDF预览

CY7C1614KV18-333BZC

更新时间： 2024-02-17 21:50:53
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 626K
描述
QDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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CY7C1614KV18-333BZC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40
针数：165Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.14
最长访问时间：0.45 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：333 MHzI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e0
长度：17 mm内存密度：150994944 bit
内存集成电路类型：QDR SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：220电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.41 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：1.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：15 mm
Base Number Matches：1

CY7C1614KV18-333BZC 数据手册

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CY7C1625KV18  
CY7C1612KV18  
CY7C1614KV18  
Pin Configurations  
The pin configuration for CY7C1625KV18, CY7C1612KV18, and CY7C1614KV18 follow: [1]  
Figure 1. 165-ball FBGA (15 × 17 × 1.4 mm) pinout  
CY7C1625KV18 (16 M × 9)  
1
CQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DOFF  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TDO  
2
A
3
A
4
5
NC  
6
7
A
8
9
A
10  
A
11  
CQ  
Q4  
D4  
NC  
Q3  
NC  
NC  
ZQ  
D2  
NC  
Q1  
D1  
NC  
Q0  
TDI  
A
B
C
D
E
F
WPS  
A
K
RPS  
A
NC  
NC  
D5  
NC  
NC  
NC  
Q5  
NC  
Q6  
VDDQ  
NC  
NC  
D7  
NC  
NC  
Q8  
A
NC/288M  
A
K
BWS0  
A
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A
NC  
NC  
NC  
D3  
VSS  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VSS  
A
A
VSS  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
NC  
NC  
D6  
NC  
NC  
VREF  
Q2  
G
H
J
VREF  
NC  
NC  
Q7  
NC  
D8  
K
L
NC  
NC  
NC  
NC  
D0  
M
N
P
R
NC  
TCK  
A
C
A
A
A
C
A
A
TMS  
Note  
1. NC/288M is not connected to the die and can be tied to any voltage level.  
Document Number: 001-16238 Rev. *N  
Page 5 of 33  
 
 
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与CY7C1614KV18-333BZC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1614KV18-333BZXI CYPRESS

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 		QDR SRAM, 4MX36, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
CY7C1615KV18 CYPRESS

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 		144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archit
CY7C1615KV18-250BZXC CYPRESS

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 		QDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
CY7C1615KV18-250BZXC INFINEON

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 		Synchronous SRAM
CY7C1615KV18-300BZXI CYPRESS

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 		QDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
CY7C1615KV18-300BZXI INFINEON

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 		Synchronous SRAM
CY7C1615KV18-333BZXC CYPRESS

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 		QDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
CY7C1615KV18-333BZXC INFINEON

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 		Synchronous SRAM
CY7C1618KV18 CYPRESS

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 		144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture
CY7C1618KV18-300BZXC CYPRESS

获取价格

 		144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

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