是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | CERAMIC, LCC-52 |
针数: | 52 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.81 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N52 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.05 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC52,.75SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 19.05 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C146-35LMB | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C146-35NC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C146-35NCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 | |
CY7C1463AV25 | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1463AV25-100AXC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1463AV25-100AXI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1463AV25-100BZC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1463AV25-100BZI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1463AV25-100BZXC | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro | |
CY7C1463AV25-100BZXI | CYPRESS |
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36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Thro |