是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, SIDEBRAZE, DIP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.31 | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | INTERRUPT FLAG | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 60.96 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C140-45FMB | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48 | |
CY7C140-45LC | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C140-45LMB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C140-45PC | CYPRESS |
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1K x 8 Dual-Port Static Ram | |
CY7C140-45PI | CYPRESS |
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1K x 8 Dual-Port Static Ram | |
CY7C140-55DC | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
CY7C140-55DI | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
CY7C140-55DMB | CYPRESS |
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1K x 8 Dual-Port Static Ram | |
CY7C140-55FMB | CYPRESS |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48 | |
CY7C140-55LC | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |