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CY7C1399B-12ZCT

更新时间: 2024-11-16 15:30:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
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11页 841K
描述
32KX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

CY7C1399B-12ZCT 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 13.40 MM, TSOP1-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

CY7C1399B-12ZCT 数据手册

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