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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 6.5 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX36 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1355A-133BGC | CYPRESS |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 |
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| CY7C1355B | CYPRESS |
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9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-100AC | CYPRESS |
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9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-100AI | CYPRESS |
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9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-100BG | CYPRESS |
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9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-100BGC | CYPRESS |
获取价格 |
9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-100BGI | CYPRESS |
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ZBT SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
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| CY7C1355B-100BZC | CYPRESS |
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9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-100BZI | CYPRESS |
获取价格 |
9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| CY7C1355B-117AC | CYPRESS |
获取价格 |
9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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