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CY7C1157V18-300BZXC

更新时间： 2024-01-06 06:45:56
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 645K
描述
DDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

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CY7C1157V18-300BZXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：0.45 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：300 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e1
长度：15 mm内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：9
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX9输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.25 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.85 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：13 mm
Base Number Matches：1

CY7C1157V18-300BZXC 数据手册

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CY7C1146V18, CY7C1157V18  
CY7C1148V18, CY7C1150V18  
Pin Configurations  
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout  
CY7C1146V18 (2M x 8)  
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CY7C1157V18 (2M x 9)  
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Document Number: 001-06621 Rev. *D  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1157V18-300BZXI CYPRESS

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 		DDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA
CY7C1157V18-333BZC CYPRESS

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 		18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZI CYPRESS

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CY7C1157V18-333BZXC CYPRESS

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 		18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZXI CYPRESS

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