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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 300 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | QDR SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大待机电流： | 0.201 A | 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.663 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 13 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1156V18-333BZC | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
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| CY7C1156V18-333BZI | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
|
| CY7C11571KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
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| CY7C1157KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
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| CY7C1157V18 | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
|
| CY7C1157V18-300BZC | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
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| CY7C1157V18-300BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA |
|
| CY7C1157V18-300BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA |
|
| CY7C1157V18-333BZC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
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| CY7C1157V18-333BZI | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
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