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CY7C1049CV33-12ZXI

更新时间: 2024-09-17 20:33:43
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 890K
描述
512KX8 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

CY7C1049CV33-12ZXI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.41
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e3/e4
长度:18.415 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.1938 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1049CV33-12ZXI 数据手册

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