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CY7C1019BN-12VCT

更新时间: 2024-02-22 15:39:40
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 417K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

CY7C1019BN-12VCT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.61
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.955 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1019BN-12VCT 数据手册

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CY7C1019BN  
Document History Page  
Document Title: CY7C1019BN 128K x 8 Static RAM  
Document Number: 001-06425  
Orig. of  
Change  
REV.  
ECN NO.  
Issue Date  
Description of Change  
**  
423847  
See ECN  
NXR  
New Data Sheet  
Document #: 001-06425 Rev. **  
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