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CY7C1019BN-12VCT

更新时间： 2024-02-14 11:01:32

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	417K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

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CY7C1019BN-12VCT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.61
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.955 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1019BN-12VCT 数据手册

CY7C1019BN

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)^[13]

ADDRESS

SCE

PWE

NOTE 14

DATA I/O

DATA VALID

LZWE

HZWE

Truth Table

I/O₀–I/O₇

Mode

Power

High Z

Power-Down

Read

Standby (I_SB)

Data Out

Data In

High Z

Active (I_CC

)

Write

Selected, Outputs Disabled

Ordering Information

Speed

(ns)

Package

Diagram

Operating

Range

Ordering Code

CY7C1019BN-12VC

Package Type

51-85033 32-Lead 400-Mil Molded SOJ

51-85095 32-Lead TSOP Type II

Commercial

CY7C1019BN-12ZC

CY7C1019BN-12ZXC

CY7C1019BN-15VC

CY7C1019BN-15ZXC

51-85095 32-Lead TSOP Type II (Pb-free)

51-85033 32-Lead 400-Mil Molded SOJ

51-85095 32-Lead TSOP Type II (Pb-free)

Commercial

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Document #: 001-06425 Rev. **

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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