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CY7C1019BN-12VCT

更新时间: 2024-02-14 11:01:32
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 417K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

CY7C1019BN-12VCT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.61
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.955 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1019BN-12VCT 数据手册

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CY7C1019BN  
Switching Waveforms (continued)  
Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)[13]  
t
WC  
ADDRESS  
CE  
t
SCE  
t
t
HA  
AW  
t
SA  
t
PWE  
WE  
t
t
HD  
SD  
NOTE 14  
DATA I/O  
DATA VALID  
t
t
LZWE  
HZWE  
Truth Table  
CE  
H
L
OE  
WE  
X
I/O0–I/O7  
Mode  
Power  
X
L
High Z  
Power-Down  
Read  
Standby (ISB)  
H
Data Out  
Data In  
High Z  
Active (ICC  
Active (ICC  
Active (ICC  
)
)
)
L
X
H
L
Write  
L
H
Selected, Outputs Disabled  
Ordering Information  
Speed  
(ns)  
Package  
Diagram  
Operating  
Range  
Ordering Code  
CY7C1019BN-12VC  
Package Type  
12  
51-85033 32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
51-85095 32-Lead TSOP Type II  
Commercial  
CY7C1019BN-12ZC  
CY7C1019BN-12ZXC  
CY7C1019BN-15VC  
CY7C1019BN-15ZXC  
51-85095 32-Lead TSOP Type II (Pb-free)  
51-85033 32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
51-85095 32-Lead TSOP Type II (Pb-free)  
15  
Commercial  
Please contact local sales representative regarding availability of these parts  
Document #: 001-06425 Rev. **  
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