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CY7B153-12VCR

更新时间: 2024-11-24 13:22:43
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赛普拉斯 - CYPRESS 信息通信管理静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 205K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 12ns, BICMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28

CY7B153-12VCR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-PDSO-J28
长度:17.907 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.556 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1

CY7B153-12VCR 数据手册

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