是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | CERAMIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 15 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 2.286 mm | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.145 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BICMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7B153-15PC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7B153-15VC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX4, 15ns, BICMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7B153-15VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX4, 15ns, BICMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7B153-15VCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX4, 15ns, BICMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7B153-20DC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX4, 20ns, BICMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 | |
CY7B153-20DMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7B153-20LC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX4, 20ns, BICMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7B153-20LMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 20ns, BICMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7B153-20PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 20ns, BICMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY7B153-20VC | ETC |
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x4 SRAM |