是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | PLASTIC, LCC-68 |
针数: | 68 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.81 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 24.2316 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC68,1.0SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.21 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BICMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 24.2316 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7B144-35JCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B144-35JIR | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B144-35JIT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B144-35LC | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, CQCC68, CERAMIC, LCC-68 | |
CY7B144-35LMB | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, CQCC68, CERAMIC, LCC-68 | |
CY7B144-55AC | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7B144-55AI | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7B144-55JCR | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B144-55JIT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B145-15GC | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 8KX9, 15ns, BICMOS, CPGA68, CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-68 |