是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.300 INCH, SOIC-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.11 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9324 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.45 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.794 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.5057 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY62256NL-70SNCT | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY62256NL-70SNI | CYPRESS |
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256K (32K x 8) Static RAM | |
CY62256NL-70SNXC | CYPRESS |
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256K (32K x 8) Static RAM | |
CY62256NL-70SNXC | ROCHESTER |
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32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOIC-28 | |
CY62256NL-70SNXCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOIC-28 | |
CY62256NL-70SNXI | ROCHESTER |
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32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 | |
CY62256NL-70SNXI | CYPRESS |
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256K (32K x 8) Static RAM | |
CY62256NLL-55NXI | CYPRESS |
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256 K (32 K x 8) Static RAM | |
CY62256NLL-55SNI | CYPRESS |
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256K (32K x 8) Static RAM | |
CY62256NLL-55SNXE | CYPRESS |
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256K (32K x 8) Static RAM |