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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62128BLL-70ZC
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CY62128BLL-70ZC

更新时间： 2024-01-04 19:43:33
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
11页 341K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY62128BLL-70ZC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.4
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY62128BLL-70ZC 数据手册

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CY62128B  
MoBL  
128K x 8 Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• Temperature Ranges  
The CY62128B is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE1),  
an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW Output  
Enable (OE), and three-state drivers. This device has an  
automatic power-down feature that reduces power  
consumption by more than 75% when deselected.  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
One (CE1) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip  
Enable Two (CE2) input HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0  
through I/O7) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A16).  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable One (CE1) and Output Enable (OE) LOW while forcing  
Write Enable (WE) and Chip Enable Two (CE2) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location  
specified by the address pins will appear on the I/O pins.  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE LOW).  
— Commercial: 0°C to 70°C  
— Industrial: –40°C to 85°C  
— Automotive: –40°C to 125°C  
• 4.5V – 5.5V operation  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
(70 ns, LL version, Commercial, Industrial)  
— 82.5 mW (max.) (15 mA)  
• Low standby power  
(70 ns, LL version, Commercial, Industrial)  
— 110 µW (max.) (15 µA)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options  
The CY62128B is available in a standard 450-mil-wide SOIC,  
32-pin TSOP type I and STSOP packages.  
Logic Block Diagram  
I/O  
0
INPUT BUFFER  
I/O  
I/O  
1
2
A
A
A
0
1
2
A
A
3
4
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512x256x8  
ARRAY  
A
5
A
6
A
A
7
8
I/O  
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
CE  
CE  
WE  
1
2
DECODER  
OE  
Note:  
1. For best practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose, CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05300 Rev. *C  
Revised February 14, 2005  
1234567...11

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CY62128BLL-70ZC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

 1-Mbit (128K x 8) Static RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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