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CY62128BLL-70ZCT

更新时间： 2024-09-30 19:35:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 286K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

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CY62128BLL-70ZCT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1,
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.09最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：8 mmBase Number Matches：1

CY62128BLL-70ZCT 数据手册

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CY62128B  
MoBL®  
1-Mbit (128K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• Temperature Ranges  
The CY62128B is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE1),  
an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW Output  
Enable (OE), and three-state drivers. This device has an  
automatic power-down feature that reduces power  
consumption by more than 75% when deselected.  
—Commercial: 0°C to 70°C  
— Industrial: –40°C to 85°C  
— Automotive: –40°C to 125°C  
• 4.5V–5.5V operation  
• CMOS for optimum speed/power  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
One (CE1) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip  
Enable Two (CE2) input HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0  
through I/O7) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A16).  
• Low active power  
(70 ns, LL version, Commercial, Industrial)  
— 82.5 mW (max.) (15 mA)  
• Low standby power  
(70 ns, LL version, Commercial, Industrial)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable One (CE1) and Output Enable (OE) LOW while forcing  
Write Enable (WE) and Chip Enable Two (CE2) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location  
specified by the address pins will appear on the I/O pins.  
— 110 µW (max.) (15 µA)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE LOW).  
The CY62128B is available in a standard 450-mil-wide SOIC,  
32-pin TSOP type I and STSOP packages.  
Logic Block Diagram  
I/O  
0
INPUT BUFFER  
I/O  
I/O  
1
2
A
A
A
0
1
2
A
A
A
A
A
A
3
4
5
6
7
8
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512x256x8  
ARRAY  
I/O  
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
CE  
1
2
WE  
OE  
Note:  
1. For best-practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05300 Rev. *C  
•
3901 North First Street  
•
San Jose, CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised March 7, 2005  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62128BLL-70ZE CYPRESS

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 		128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
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