CY62127DV20L-55BVI

更新时间： 2024-02-17 10:17:52

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1M (64K x 16) Static RAM

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CY62127DV20L-55BVI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大待机电流：	0.000001 A	最小待机电流：	1 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.0075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

CY62127DV20L-55BVI 数据手册

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CY62127DV20

MoBL2^®

ADVANCE

INFORMATION

Switching Waveforms (continued)

Read Cycle No. 2 (OE Controlled)^{[14, 15]}

ADDRESS

t _RC

t _PD

t_HZCE

t_ACE

BHE

BLE

t _DBE

t _HZBE

t _LZBE

t _HZOE

t_DOE

t_LZOE

HIGH

IMPEDANCE

HIGH IMPEDANCE

DATA OUT

DATA VALID

t_LZCE

I_CC

I_SB

t_PU

SUPPLY

CURRENT

50%

Write Cycle No. 1 (WE Controlled) ^{[12, 16, 17, 18]}

t _WC

ADDRESS

t_SCE

t_AW

t_HA

t _SA

t _PWE

t_BW

BHE/BLE

t_SD

t_HD

ATA I/ O

DATA VALID

DON’T CARE

t_HZOE

Notes:

13. Device is continuously selected. OE, CE₁= V_IL, BHE and/or BLE = V_IL, CE_2<Def>

14. WE is HIGH for Read cycle.

15. Address valid prior to or coincident with CE₁, BHE, BLE transition LOW and CE₂transition HIGH.

Document #: 38-05301 Rev. **

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