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CY62127DV20L-55BVI

更新时间: 2024-01-06 02:32:43
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
1M (64K x 16) Static RAM

CY62127DV20L-55BVI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
长度:8 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:48字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:1.8/2 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1 mm
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:1 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.0075 mA
最大供电电压 (Vsup):2.2 V最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:6 mm
Base Number Matches:1

CY62127DV20L-55BVI 数据手册

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CY62127DV20  
MoBL2®  
ADVANCE  
INFORMATION  
Switching Waveforms (continued)  
Write Cycle No. 2 (CE1 or CE2 Controlled) [12, 16, 17, 18]  
tWC  
ADDRESS  
t SCE  
CE  
CE  
1
2
t SA  
tAW  
t HA  
t PWE  
WE  
tBW  
BHE /BLE  
OE  
tSD  
t HD  
VALID  
DATA I/ O  
DATA  
IN  
DONT CARE  
tHZOE  
Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)[17, 18]  
tWC  
ADDRESS  
tSCE  
CE1  
CE2  
tAW  
tHA  
tSA  
tPWE  
WE  
tSD  
DATAIN VALID  
tHD  
DONT CARE  
DATA I/ O  
tLZWE  
tHZWE  
Notes:  
16. Data I/O is high-impedance if OE = VIH  
.
17. If CE1 goes HIGH or CE2 goes LOW simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state.  
18. During the DONT CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.  
Document #: 38-05301 Rev. **  
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