是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
混合内存类型: | N/A | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.194 mm |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.065 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14E104K-ZS25XI | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZS25XIT | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZS45XCT | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZS45XI | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZS45XIT | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZSP15XCT | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZSP15XI | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZSP15XIT | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZSP20XCT | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock | |
CY14E104K-ZSP20XI | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock |