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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 4.889 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.727 mm | 最大待机电流： | 0.00015 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 3.8985 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY14B101J3-SFXI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM |
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| CY14B101J3-SFXIT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM |
|
| CY14B101K | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real-Time Clock |
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| CY14B101K_0711 | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real Time Clock |
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| CY14B101K_09 | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real Time Clock |
|
| CY14B101KA | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM with Real Time Clock |
|
| CY14B101KA_11 | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM with Real Time Clock |
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| CY14B101KA_12 | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (128 K Ã 8/64 K Ã 16) nvSRAM with Re |
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| CY14B101KA-SP20XC | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM with Real Time Clock |
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| CY14B101KA-SP20XCT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM with Real Time Clock |
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