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CY14B101K

更新时间： 2024-02-22 04:40:07
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
24页 1357K
描述
1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real-Time Clock

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CY14B101K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP16,.4
针数：16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.42JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e4长度：10.2865 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：16
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.667 mm
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.01 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.4925 mmBase Number Matches：1

CY14B101K 数据手册

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PRELIMINARY  
CY14B101K  
1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real-Time Clock  
Features  
Functional Description  
• Data integrity of Cypress nvSRAM combined with full  
featured Real-Time Clock (RTC)  
The Cypress CY14B101K combines a 1 Mbit nonvolatile static  
RAM with a full featured real-time clock in a monolithic  
integrated circuit. The embedded nonvolatile elements  
incorporate QuantumTrap technology producing the world’s  
most reliable nonvolatile memory. The SRAM can be read and  
written an infinite number of times, while independent,  
nonvolatile data resides in the nonvolatile elements.  
• Watchdog timer  
• Clock alarm with programmable interrupts  
• Capacitor or battery backup for RTC  
• 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times  
The Real-Time Clock function provides an accurate clock with  
leap year tracking and a programmable, high accuracy  
oscillator. The alarm function is programmable for one time  
alarm or periodic seconds, minutes, hours, or days. There is  
also a programmable watchdog timer for process control.  
• “Hands-off” automatic STORE on power down with only a  
small capacitor  
• STOREtoQuantumTrap™initiatedbysoftware, devicepin,  
or on power down  
• RECALL to SRAM initiated by software or on power up  
• Infinite READ, WRITE, and RECALL cycles  
• High reliability  
— Endurance to 200,000 cycles  
— Data retention: 20 years @55°C  
• 10 mA typical ICC at 200 ns cycle time  
• Single 3V operation +20%, –10%  
• Commercial and industrial temperature  
• SSOP package (ROHS compliant)  
Logic Block Diagram  
V
CC  
V
CAP  
QuantumTrap  
1024 x 1024  
V
RTCbat  
A5  
A6  
A7  
A8  
POWER  
CONTROL  
STORE  
RECALL  
V
RTCcap  
STORE/  
RECALL  
CONTROL  
STATIC RAM  
ARRAY  
1024 X 1024  
A9  
HSB  
A12  
A13  
A14  
A15  
A16  
SOFTWARE  
DETECT  
A15  
-A0  
DQ0  
COLUMN IO  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
COLUMN DEC  
x1  
x2  
INT  
RTC  
MUX  
A0  
A4  
A11  
A10  
A1  
A3  
A2  
A16  
-A0  
OE  
CE  
WE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06401 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised March 01, 2007  
[+] Feedback  
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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