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CXG1120EN

更新时间： 2024-01-10 22:04:22

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其他 - ETC		开关电信集成电路放大器光电二极管
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7页	96K
描述
Low Noise Amplifier with Bypass Switch/Mixer

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CXG1120EN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SON
包装说明：	VSSON,	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-N10	JESD-609代码：	e6
长度：	2.7 mm	功能数量：	1
端子数量：	10	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-35 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSSON	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.9 mm
标称供电电压：	2.7 V	表面贴装：	YES
电信集成电路类型：	RF AND BASEBAND CIRCUIT	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	2.5 mm
Base Number Matches：	1

CXG1120EN 数据手册

CXG1120EN

Electrical Characteristics

Conditions: VDD = 2.7V, VCTL (H) = 2.7V, VCTL (L) = 0V, fRF = 850MHz, fLO = 740MHz, PLO = –10dBm

Condition of control pin

Item

Symbol Min. Typ. Max. Unit

Condition

VCTL1

V^CTL2

I^CTL1 (H)

I^CTL2 (H)

—

30 45

15 30

Control pin

current

µA

Logic

block

Without a

signal

Logic current

consumption

—

IDD

—

0.2 0.4 mA

L or H

IDDSW

I^DDL

—

0.1 0.2

Current

consumption

Without a

signal

3.5 5.0 mA

6.2 8.0

IDDH

L or H

GpSW

GpL

–4.3 –3.8 –3.3

Power gain

Noise figure

Input IP3

13.0 14.5 16.0

With a small

signal

GpH

13.5 15.0 16.5 dB

SW-LNA

block

NFL

—

1.4 1.9

1.3 1.8

NFH

L or H

IIP3SW

IIP3L

IIP3H

IsoL

—

–2.5 0.5

dBm

1.5 4.0

With a small

signal

Isolation

IsoH

Without a

signal

Current

consumption

—

I^DD

—

7.5 10.5 mA

—

10.5 12.0 13.5

Conversion gain

Noise figure

Input IP3

With a small

signal

MIX block

—

3.8 5.3

2.5

IIP3

P^LK

—

dBm

—

–19 –14 dBm

LO – RF leak

—

fRF = 850MHz/850.9MHz, PRF = 0dBm (GpSW mode)

PRF = –25dBm (GpL/GpH mode, MIX section), conversion by the IM3 suppression ratio at two-wave input.

– 2 –

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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