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CXG1100TN-T2

更新时间： 2024-02-26 22:06:55

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		ISM频段射频微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	58K
描述
DPDT, 0.6dB Insertion Loss-Max, PLASTIC, TSSOP-10

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CXG1100TN-T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大插入损耗：	0.6 dB
JESD-609代码：	e6/e4	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-35 °C	射频/微波设备类型：	DPDT
端子面层：	TIN BISMUTH/PALLADIUM	最大电压驻波比：	1.4
Base Number Matches：	1

CXG1100TN-T2 数据手册

CXG1100TN

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Insertion loss

Isolation

Symbol

Min. Typ. Max. Unit

0.35 0.60 dB

Condition

ISO.

VSWR

2fo

VSWR

50Ω

1.2 1.4

—

–75 –60 dBc

Harmonics

3fo

Input IP3

IIP3

P1dB

TSW

I^DD

dBm

µs

1dB compression input power

Switching speed

Bias current

VDD = 2.8V

VDD = 3.0V

0.1 0.3 mA

80 160 µA

Control current

Ictl

Vctl (High) = 3V

Pin = 24dBm, 0/3V control, VDD = 3.0V, 900MHz

Pin = 24dBm (900MHz) + 24dBm (901MHz), 0/3V control, VDD = 3.0V

– 3 –

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