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CXG1100TN-T2

更新时间： 2024-01-09 06:41:29

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		ISM频段射频微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	58K
描述
DPDT, 0.6dB Insertion Loss-Max, PLASTIC, TSSOP-10

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CXG1100TN-T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大插入损耗：	0.6 dB
JESD-609代码：	e6/e4	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-35 °C	射频/微波设备类型：	DPDT
端子面层：	TIN BISMUTH/PALLADIUM	最大电压驻波比：	1.4
Base Number Matches：	1

CXG1100TN-T2 数据手册

CXG1100TN

Block Diagram and Recommended Circuit

RF3

RF2

CRF (100pF)

GND

CRF (100pF)

GND

RF4

RF1

CRF (100pF)

CTL

VDD

Cbypass

(100pF)

Rctl (1kΩ)

Cbypass

(100pF)

When using this IC, the following external components should be used:

Rctl:

C^RF:

This resistor is used to improve ESD performance. 1kΩ is recommended.

This capacitor is used for RF de-coupling and must be used for all applications.

100pF is recommended.

Cbypass: This capacitor is used for DC line filtering. 100pF is recommended.

TruthTable

CTL

ON state

OFF state

OFF

RF1 – RF2, RF3 – RF4 RF2 – RF3, RF4 – RF1

RF2 – RF3, RF4 – RF1 RF1 – RF2, RF3 – RF4

OFF

DC Bias Conditions

(Ta = 25°C)

Item

Vctl (H)

Vctl (L)

VDD

Min.

2.5

Typ.

3.0

—

Max.

3.6

Unit

0.8

2.7

3.0

4.5

– 2 –

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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