CT60AM-18C-AD

更新时间： 2024-01-10 01:00:51

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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Insulated Gate Bipolar Transistor

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CT60AM-18C-AD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3PL	包装说明：	TO-3PL, 3 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	25 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	500 ns	标称接通时间 (ton)：	150 ns
Base Number Matches：	1

CT60AM-18C-AD 数据手册

CT60AM-18C

Insulated Gate Bipolar Transistor

REJ03G0287-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

V_CES: 900 V

I_C: 60 A

Integrated fast-recovery diode

For voltage-resonance

Appearance Figure

TO-3PL

2, 4

1 : Gate

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

Applications

Voltage-resonance type home appliances (Microwave ovens, IH cooking devices, IH rice-cookers)

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

Peak gate-emitter voltage

Collector current

Symbol

V_CES

V_GES

V_GEM

I_C

Ratings

Unit

Conditions

V_GE= 0 V

900

±20

V_CE= 0 V

±30

Collector current (Pulse)

Emitter current

I_CM

120

I_E

Maximum power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

°C

Tc = 25°C

– 40 to +150

Tstg

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 5

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与CT60AM-18C-AD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CT60AM18F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247VAR
CT60AM-18F	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
CT60AM-18F	POWEREX	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
CT60AM-18F-AD	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
CT60AM20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247VAR
CT60AM-20	MITSUBISHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN
CT60E	ETC	获取价格	DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)\|70V V(BO) MAX\|50UA I(S)\|DO-204AL
CT60F-331K-H	Central Technologies	获取价格	General Purpose Inductor, 330uH, 10%, 1 Element, Iron-ferrite-Core, RADIAL LEADED, ROHS CO
CT60F-331K-K	Central Technologies	获取价格	High Current Power Toroids
CT60F-331K-L	Central Technologies	获取价格	High Current Power Toroids