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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PL | 包装说明： | TO-3PL, 3 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 150 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CT60AM-18F | RENESAS |
功能相似  |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CT60AM-18F-AD | RENESAS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| CT60AM20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247VAR |
|
| CT60AM-20 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN |
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| CT60E | ETC |
获取价格 |
DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)|70V V(BO) MAX|50UA I(S)|DO-204AL |
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| CT60F-331K-H | Central Technologies |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 10%, 1 Element, Iron-ferrite-Core, RADIAL LEADED, ROHS CO |
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| CT60F-331K-K | Central Technologies |
获取价格 |
High Current Power Toroids |
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| CT60F-331K-L | Central Technologies |
获取价格 |
High Current Power Toroids |
|
| CT60F-331K-M | Central Technologies |
获取价格 |
High Current Power Toroids |
|
| CT60F-331K-TH | Central Technologies |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 10%, 1 Element, Iron-ferrite-Core, RADIAL LEADED, ROHS CO |
|
| CT60F-331K-TV | Central Technologies |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 10%, 1 Element, Iron-ferrite-Core, RADIAL LEADED, ROHS CO |
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数据手册解读：MB10S引脚说明、电气参数
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资料解读：TL494CN参数和引脚功能图说明
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