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CT30VS-8

更新时间： 2024-11-07 22:28:51

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	27K
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STROBE FLASHER USE

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CT30VS-8 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	180 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CT30VS-8 数据手册

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

CT30VS-8

STROBE FLASHER USE

CT30VS-8

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10.5MAX.

4.5

1.3

+0.3

–0

0.5

0.8

w e

w r

q GATE

w COLLECTOR

e EMITTER

r COLLECTOR

¡VCES ............................................................................... 400V

¡ICM ................................................................................... 180A

TO-220S

APPLICATION

Strobe Flasher.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VCES

VGES

VGEM

ICM

Parameter

Conditions

Ratings

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

VGE = 0V

400

±30

VCE = 0V, See notice 4

VCE = 0V, tw = 0.5s

See figure 1

Peak gate-emitter voltage

Collector current (Pulsed)

Junction temperature

Storage temperature

±40

180

–40 ~ +150

°C

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C)

Symbol Parameter

Limits

Typ.

—

Test conditions

Unit

Min.

450

—

Max.

—

V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage IC = 1mA, VGE = 0V

µA

ICES

Collector-emitter leakage current VCE = 400V, VGE = 0V

Gate-emitter leakage current VGE = ±40V, VCE = 0V

Gate-emitter threshold voltage VCE = 10V, IC = 1mA

—

IGES

—

±0.1

7.0

VGE(th)

—

Feb.1999

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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