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CT20ASL-8

更新时间: 2024-11-07 22:28:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
STROBE FLASHER USE

CT20ASL-8 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.26Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):130 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
门极发射器阈值电压最大值:4 V门极-发射极最大电压:15 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

CT20ASL-8 数据手册

 浏览型号CT20ASL-8的Datasheet PDF文件第2页 
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
CT20ASL-8  
STROBE FLASHER USE  
CT20ASL-8  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
6.5  
0.5 ± 0.1  
5.0 ± 0.2  
4
1.0  
0.9MAX.  
0.5 ± 0.2  
0.8  
2.3 2.3  
1
2
3
w r  
q GATE  
w COLLECTOR  
e EMITTER  
q
r COLLECTOR  
e
¡VCES ................................................................................400V  
¡ICM ....................................................................................130A  
MP-3  
APPLICATION  
Strobe Flasher.  
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)  
Symbol  
VCES  
VGES  
VGEM  
ICM  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
VGE = 0V  
400  
±15  
±16  
130  
VCE = 0V, See notice 4  
VCE = 0V, tw = 10s  
See figure 1  
V
Peak gate-emitter voltage  
Collector current (Pulsed)  
Junction temperature  
Storage temperature  
V
A
Tj  
–40 ~ +150  
–40 ~ +150  
°C  
°C  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C)  
Symbol Parameter  
Limits  
Typ.  
Test conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage IC = 1mA, VGE = 0V  
450  
V
µA  
µA  
V
ICES  
Collector-emitter leakage current VCE = 400V, VGE = 0V  
Gate-emitter leakage current VGE = ±16V, VCE = 0V  
Gate-emitter threshold voltage VCE = 10V, IC = 1mA  
10  
IGES  
±0.1  
4.0  
VGE(th)  
0.5  
Feb.1999  

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