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CRSZ019N10N4

更新时间： 2024-09-26 15:17:35

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华润微 - CRMICRO		/
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CRSZ019N10N4 数据手册

CRSZ019N10N4

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS4ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ1.75mꢂ,ꢀ248A

Features

Product Summary

V_DS

100V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS4ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

1.75mꢂ

248A

Applications

100% DVDS Tested

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRSZ019N10N4

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

ꢁ

Package

TOLL

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

CRSZ019N10N4

Tape&Reel

N/A

ꢁ

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

262ꢀ

248

I_D

166ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

992ꢀ

500ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

250ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

Notes:1.EASꢀwasꢀtestedꢀatꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀIDꢀ=ꢀ45A.

Rev 1.1

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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