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CRSM055N10L4Z

更新时间： 2024-04-09 19:01:09

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华润微 - CRMICRO		光电二极管
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CRSM055N10L4Z 数据手册

CRSM055N10L4Z

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS4ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ4.8mꢂ,ꢀ60A

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Max

Unit

R_thJC

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀ–ꢀcase.

1.8ꢀ

°C/W

R_thJA

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀ–ꢀambient(min.ꢀfootprint)

49ꢀ

Electrical Characteristic (at Tj = 25 °C, unless otherwise specified)

Value

Symbol

Parameter

Unit Test Condition

min.

typ.

max.

Static Characteristic

V_GS=0V,ꢀI_D=250ꢃA

V_GS=0V,ꢀI_D=1mA

100

1.4

ꢁ

Drainꢁsourceꢀbreakdownꢀ

voltage

BV_DSS

V_GS(thꢀ)

V_DS=V_GS,I_D=250ꢃA

Gateꢀthresholdꢀvoltage

1.8

2.2

V_DS=100V,V_GS=0V

T_j=25°C

Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀ

current

I_DSS

ꢁ

ꢃA

T_j=125°C

100

Gateꢁsourceꢀleakageꢀ

current

I_GSS

R_DS(on)

g_fs

V_GS=±20V,V_DS=0V

ꢁ

±100

mꢂ

ꢁ

4.80ꢀ

6.00ꢀ

5.70ꢀ

7.20ꢀ

VGS=10V,ꢀID=30A

VGS=4.5V,ꢀID=30A

Drainꢁsourceꢀonꢁstateꢀ

resistance

V_DS=5V,ꢀI_D=30A

Transconductance

54.5

109.0ꢀ

218

Dynamic Characteristic

C_iss

InputꢀCapacitance

2111ꢀ

343ꢀ

3166ꢀ

514ꢀ

4749ꢀ

771ꢀ

V_GS=0V,ꢀV_DS=50V,ꢀ

f=1MHz

C_oss

OutputꢀCapacitance

ReverseꢀTransferꢀ

Capacitance

C_rss

Q_G

9ꢀ

36ꢀ

9ꢀ

17ꢀ

54ꢀ

14ꢀ

9ꢀ

34ꢀ

81ꢀ

21ꢀ

17ꢀ

GateꢀTotalꢀCharge

GateꢁSourceꢀcharge

GateꢁDrainꢀcharge

V_GS=10V,ꢀV_DS=50V,ꢀ

I_D=30A

Q_gs

Q_gd

4ꢀ

t_d(on)

t_r

Turnꢁonꢀdelayꢀtime

Riseꢀtime

6ꢀ

11ꢀ

37ꢀ

39ꢀ

23ꢀ

55ꢀ

59ꢀ

24ꢀ

26ꢀ

V_GS=10V,ꢀV_DD=50V,ꢀ

R_{G_ext}=3ꢂ

ꢂ

t_d(off)

Turnꢁoffꢀdelayꢀtime

t_f

Fallꢀtime

8ꢀ

0ꢀ

12ꢀ

19ꢀ

V_GS=0V,ꢀV_DS=0V,ꢀ

f=1MHz

R_G

Gateꢀresistance

1.3ꢀ

6.49

Rev 1.0

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