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CRSM060N06L2

更新时间： 2024-04-09 19:03:20

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华润微 - CRMICRO		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	447K
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CRSM060N06L2 数据手册

CRSM060N06L2

华润微电子（重庆）有限公司

SkyMOS2ꢀNꢁMOSFETꢀ63V,ꢀ5.3mꢂ,ꢀ60A

Features

Product Summary

V_DS

63V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS2ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_{DS(on)@10Vꢀtyp}

R_{DS(on)@4.5Vꢀtyp}

I_D

5.3mꢂ

7.3mꢂ

60A

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

100% Avalanche Tested

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

CRSM060N06L2

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

DFN5X6

ReelꢀSize TapeꢀWidth

Qty

Packing

CRSM060N06L2

SM060N06L2

Tape&Reel

N/A

5000pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

240

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.3mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ)

P_tot

78.1

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

Notes:1.EASꢀwasꢀtestedꢀatꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀIDꢀ=ꢀ20.5A.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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