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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CR6A10GPPTRLEADFREE
CR6A10GPPTRLEADFREE PDF预览

CR6A10GPPTRLEADFREE

更新时间： 2024-02-01 01:44:34
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 165K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon,

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CR6A10GPPTRLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.29其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

CR6A10GPPTRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CR6A10GPPTRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CR6A2GPP CR6A8GPP  
CR6A4GPP CR6A10GPP  
CR6A6GPP  
Central  
Semiconductor Corp.  
GLASS PASSIVATED JUNCTION  
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER  
6A, 200 THRU 1000 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CR6A4GPP Series  
types are 6.0 Amp Glass Passivated Junction Silicon  
Rectifiers which are high quality, well constructed, highly  
reliable components designed for use in all types of  
military, commercial, industrial, entertainment, computer,  
and automotive applications.  
THIS DEVICE IS MANUFACTURED WITH A GLASS  
PASSIVATED CHIP FOR OPTIMUM RELIABILITY.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
CASE 106  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
CR6A  
A
SYMBOL 2GPP 4GPP 6GPP 8GPP 10GPP UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
200  
200  
140  
240  
400  
400  
280  
480  
600  
600  
420  
720  
800  
800  
560  
960  
1000  
1000  
700  
V
V
V
V
RRM  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
(Halfwave, single phase, 60Hz peak)  
1200  
RSM  
Average Forward Current, T =60°C  
I
6.0  
A
A
A
O
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
(Halfwave, single phase, 60Hz peak)  
I
400  
FSM  
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
stg  
-65 to +175  
°C  
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted))  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX  
UNITS  
μA  
I
I
V =Rated V  
R
10  
R
R
RRM  
RRM  
V =Rated V  
, T =100°C  
1.0  
1.0  
mA  
V
R
A
V
I =6.0A  
F
F
R1 (1-May 2008)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR6A2GP CENTRAL

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 		Rectifier Diode,
CR6A2GPP CENTRAL

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CR6A2GPPBKLEADFREE CENTRAL

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