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CR2AM-12BC

更新时间： 2024-11-25 19:00:35
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 75K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3.15A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202

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CR2AM-12BC 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.1 mA
JEDEC-95代码：TO-202JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3.15 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CR2AM-12BC 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR THYRISTOR  
CR2AM  
LOW POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE  
Dimensions  
CR2AM  
OUTLINE DRAWING  
in mm  
10 MAX  
0.5  
4
φ3.2±0.1  
TYPE NAME @  
VOLTAGE  
CLASS  
1.2±0.1  
0.8  
0.8  
0.5  
1.5 MIN  
2.5 2.5  
Measurement point of  
case temperature  
1 2 3  
10 MAX  
24  
CATHODE  
ANODE  
GATE  
1
2
3
4
• IT (AV) ...........................................................................2A  
• VDRM ..............................................................400V/600V  
• IGT .........................................................................100µA  
3
ANODE  
1
TO-202  
APPLICATION  
Control of household equipment such as electric blandets, leakage protector, static switch, other  
general purpose control applications, ignitors  
MAXIMUM RATINGS  
Voltage class  
Symbol  
Parameter  
Unit  
8
12  
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
400  
500  
320  
400  
320  
600  
720  
480  
600  
480  
V
V
V
V
V
VRSM  
VR (DC)  
VDRM  
✽1  
✽1  
Repetitive peak off-state voltage  
DC off-state voltage  
VD (DC)  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current  
Average on-state current  
Surge on-state current  
Conditions  
Ratings  
3.15  
2.0  
Unit  
A
IT (RMS)  
IT (AV)  
ITSM  
Commercial frequency, sine half wave, 180° conduction, Tc=75°C  
A
60Hz sine half wave 1 full cycle, peak value, non-repetitive  
20  
A
Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, Surge on-state  
current  
2
2
2
I t  
I t for fusing  
1.6  
A s  
PGM  
PG (AV)  
VFGM  
VRGM  
IFGM  
Tj  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Peak gate forward voltage  
Peak gate reverse voltage  
Peak gate forward current  
Junction temperature  
0.5  
W
W
V
0.1  
6
6
V
0.3  
A
–40 ~ +125  
–40 ~ +125  
1.6  
°C  
°C  
g
Tstg  
Storage temperature  
—
Weight  
Typical value  
✽1. With Gate-to-cathode resistance RGK=1kΩ  
Feb.1999  
123456

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与CR2AM-12BC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR2AM12C MITSUBISHI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2000mA I(T), 600V V(DRM)
CR2AM-8 POWEREX

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3.15A I(T)RMS, 2000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem
CR2AM8A MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2000mA I(T), 400V V(DRM)
CR2AM-8A MITSUBISHI

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 		LOW POWER USE GLASS PASSIVATION TYPE
CR2AM-8AB MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 3.15A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR2AM8B MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2000mA I(T), 400V V(DRM)
CR2AM-8BC MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 3.15A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR2AM8C MITSUBISHI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2000mA I(T), 400V V(DRM)
CR2AS-16A RENESAS

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 		800V - 2A - Thyristor Low Power Use
CR2AS-8UE RENESAS

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 		400V - 2A - Thyristor Low Power Use

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