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CR03AM-8BC

更新时间： 2024-10-29 15:32:35
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
5页 67K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN

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CR03AM-8BC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CR03AM-8BC 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR THYRISTOR  
CR03AM  
LOW POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE  
Dimensions  
CR03AM  
OUTLINE DRAWING  
in mm  
φ5.0 MAX  
4.4  
VOLTAGE  
2
1
CLASS  
TYPE  
NAME  
3
T
T
1
2
TERMINAL  
TERMINAL  
1
2
3
GATE TERMINAL  
CIRCUMSCRIBE  
CIRCLE  
1.25 1.25  
φ0.7  
1
3
2
• IT (AV) ........................................................................0.3A  
• VDRM ..............................................................400V/600V  
• IGT .........................................................................100µA  
JEDEC : TO-92  
APPLICATION  
Leakage protector, timer, gas ignitor  
MAXIMUM RATINGS  
Voltage class  
Symbol  
Parameter  
Unit  
8
12  
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
400  
500  
320  
400  
500  
320  
600  
800  
480  
600  
800  
480  
V
V
V
V
V
V
VRSM  
VR (DC)  
VDRM  
✽1  
✽1  
✽1  
Repetitive peak off-state voltage  
Non-repetitive peak off-state voltage  
DC off-state voltage  
VDSM  
VD (DC)  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current  
Average on-state current  
Surge on-state current  
Conditions  
Ratings  
0.47  
0.3  
Unit  
A
IT (RMS)  
IT (AV)  
ITSM  
Commercial frequency, sine half wave, 180° conduction, Ta=47°C  
A
60Hz sine half wave 1 full cycle, peak value, non-repetitive  
20  
A
Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state  
current  
2
2
2
I t  
I t for fusing  
1.6  
A s  
PGM  
PG (AV)  
VFGM  
VRGM  
IFGM  
Tj  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Peak gate forward voltage  
Peak gate reverse voltage  
Peak gate forward current  
Junction temperature  
0.5  
W
W
V
0.1  
6
6
V
0.3  
A
–40 ~ +110  
–40 ~ +125  
0.23  
°C  
°C  
g
Tstg  
Storage temperature  
—
Weight  
Typical value  
✽1. With gate to cathode resistance RGK=1kΩ.  
Feb.1999  
12345

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与CR03AM-8BC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR03AM-8C RENESAS

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),300MA I(T),TO-92
CR03AMG-12-A-T92-K UTC

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.47A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, H
CR03AMG-12-C-T92-K UTC

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.47A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, H
CR03AMG-12-D-T92-B UTC

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.47A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, H
CR03AMG-12-T92-B UTC

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 		THYRISTOR
CR03AMG-12-T92-K UTC

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 		THYRISTOR
CR04 MITSUBISHI

获取价格

 		LOW POWER USE GLASS PASSIVATION TYPE
CR0402 BOURNS

获取价格

 		Chip Resistor
CR0402 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 2; 5%, 250; 500ppm, 4.7ohm - 2200000ohm, SURFACE
CR0402_10 BOURNS

获取价格

 		Chip Resistor

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