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CQ89-2NLEADFREE PDF预览

CQ89-2NLEADFREE

更新时间： 2024-11-24 20:11:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 285K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 800V V(DRM), 2A I(T)RMS, PLASTIC PACKAGE-3

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CQ89-2NLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.18
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2 A断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

CQ89-2NLEADFREE 数据手册

 浏览型号CQ89-2NLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CQ89-2M  
CQ89-2N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
2 AMP SILICON TRIAC  
600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ89-2M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full  
wave AC control applications featuring gate triggering  
in all four (4) quadrants.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
CQ89-2M CQ89-2N  
600 800  
UNITS  
V
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
DRM  
RMS On-State Current (T =50°C)  
I
2.0  
20  
A
C
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
Peak Gate Power, tp=10μs  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current, tp=10μs  
Peak Gate Voltage, tp=10μs  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
2.0  
3.0  
0.2  
1.2  
8.0  
P
W
GM  
P
W
G(AV)  
I
A
GM  
V
V
GM  
T
J
-40 to +125  
-40 to +150  
180  
°C  
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
Thermal Resistance  
90  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
I
Rated V  
Rated V  
R
=1KΩ  
5.0  
200  
5.00  
8.00  
5.0  
DRM  
DRM, GK  
, R =1KΩ, T =125°C  
I
μA  
DRM  
DRM GK  
C
I
V =12V, QUAD I, II, III  
1.35  
3.75  
1.2  
mA  
mA  
mA  
V
GT  
D
I
V =12V, QUAD IV  
D
GT  
I
R
=1KΩ  
H
GK  
V =12V, QUAD I, II, III, IV  
V
1.1  
1.8  
GT  
D
V
I
I
=2.0A, tp=380μs  
1.50  
1.7  
1.75  
2.0  
V
TM  
TM  
V
=3.0A, tp=380μs  
2
V
TM  
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
2.5  
V/μs  
3
D
DRM, C  
R1 (12-February 2010)  
12

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