CQ89DSTR

更新时间： 2024-11-21 13:07:07

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CENTRAL		三端双向交流开关
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2页	96K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 400V V(DRM), 2A I(T)RMS,

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CQ89DSTR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.04	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-45 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	2 A	断态重复峰值电压：	400 V
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

CQ89DSTR 数据手册

CQ89D

CQ89M

CQ89N

Ce n t r a l

S e m ic o n d u c t o r Co r p .

2.0 AMP TRIAC

400 THRU 800 VOLTS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ89D

series types are epoxy molded silicon triacs

designed for full wave AC control applications

featuring gate triggering in all four (4)

quadrants.

SOT-89

SOT-89 CASE

MAXIMUM RATINGS (T =25 C)

SYMBOL

CQ89D

CQ89M

CQ89N UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

400

600

800

DRM

RMS On-State Current (T =80 C)

2.0

T(RMS)

Peak One Cycle Surge (10ms)

TSM

Peak Gate Current

1.0

Average Gate Power Dissipation

StorageTemperature

0.1

G(AV)

-45 to +150

-45 to +125

stg

Junction Temperature

Thermal Resistance

C/W

J-C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

5.00

200

UNITS

V =Rated V

µA

DRM

V =Rated V

, T =125 C

DRM

V =12V, QUAD I, II, III, IV

V =12V

2.00

1.75

I =3.0A

dv/dt

V =

, T =125 C

100

V/µs

DRM

252

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