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CPT40050DE3

更新时间: 2024-11-03 19:00:55
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 153K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 50V V(RRM), Silicon,

CPT40050DE3 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71其他特性:REVERSE ENERGY TESTED
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ANODE AND CATHODE
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.78 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X2最大非重复峰值正向电流:3000 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:200 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向电流:5000 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

CPT40050DE3 数据手册

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