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CPT30060A PDF预览

CPT30060A

更新时间： 2024-11-02 21:17:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 273K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150A, 60V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2

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CPT30060A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.88
应用：POWER外壳连接：ANODE
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：2000 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：150 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

CPT30060A 数据手册

 浏览型号CPT30060A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CPT30060A的Datasheet PDF文件第3页 
Schottky PowerMod  
CPT30060  
A
R
G
Dim. Inches  
Millimeters  
Min.  
Max. Notes  
Max. Min.  
Baseplate  
A=Common Anode  
---  
17.78  
---  
92.20  
20.32  
A ---  
B 0.700  
C ---  
E 0.120  
F 0.490  
3.630  
0.800  
0.630  
0.130  
0.510  
B
16.00  
3.30  
12.95  
3.05  
12.45  
Q
N
W
1.375 BSC  
G
34.92 BSC  
Baseplate  
---  
---  
7.37  
H 0.010  
N ---  
Q 0.275  
---  
---  
0.290  
0.25  
---  
F
Common Cathode  
1/4-20  
Dia.  
U
U
6.99  
R
80.01 BSC  
3.150 BSC  
C
15.24  
7.92  
4.57  
---  
8.64  
4.95  
U 0.600  
V 0.312  
W 0.180  
---  
.340  
0.195  
H
Baseplate  
D=Doubler  
Dia.  
V
Notes:  
E
Baseplate: Nickel plated  
copper  
Schottky Barrier Rectifier  
Guard Ring Protection  
Microsemi  
Industry  
Working Peak Repetitive Peak  
Catalog Number Part Number Reverse Voltage Reverse Voltage  
CPT30060*  
MBRP20060CT  
MBRP30060CT  
60V  
60V  
300 Amperes/60 Volts  
175°C Junction Temperature  
MBR20060CT  
MBR30060CT  
Reverse Energy Tested  
ROHS Compliant  
*Add Suffix A for Common Anode, D for Doubler  
Electrical Characteristics  
I
I
I
I
T
T
R
R
F(AV) 300 Amps  
F(AV) 150 Amps  
FSM 2000 Amps  
R(OV) 2 Amps  
FM .82 Volts  
FM .68 Volts  
C = 127°C, Square wave, 0JC = 0.20°C/W  
Average forward current per pkg  
Average forward current per leg  
Maximum surge current per leg  
Maximum repetitive reverse current per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak reverse current per leg  
Max peak reverse current per leg  
C = 127°C, Square wave, 0JC = 0.40°C/W  
T
8.3ms, half sine, J = 175°C  
f = 1 KHZ, 25°C, 1µsec square wave  
V
I
I
T
T
FM = 200A: J = 25°C*  
FM = 200A: J = 175°C*  
V
I
I
V
T
RRM, J = 125°C*  
RM  
75 mA  
4.0 mA  
4300 pF  
T
V
V
RM  
RRM, J = 25°C  
C
T
R = 5.0V, C = 25°C  
Typical junction capacitance per leg  
J
*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
T
R
R
Storage temp range  
STG  
J
OJC  
OJC  
-55°C to 175°C  
-55°C to 175°C  
0.40°C/W Junction to case  
0.20°C/W Junction to case  
0.08°C/W Case to sink  
Operating junction temp range  
Max thermal resistance per leg  
Max thermal resistance per pkg  
R
OCS  
Typical thermal resistance (greased)  
Terminal Torque  
Mounting Base Torque (outside holes)  
Mounting Base Torque (center hole)  
center hole must be torqued first  
35-50 inch pounds  
30-40 inch pounds  
8-10 inch pounds  
Weight  
2.8 ounces (75 grams) typical  
www.microsemi.com  
October, 2012 - Rev. 7  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPT30060AE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150A, 60V V(RRM), Silicon
CPT30060D MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150A, 60V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2
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